包括但不限于全球移动通讯系统(gsm,globalsystemofmobilecommunication)、通用分组无线服务(gprs,generalpacketradioservice)、码分多址(cdma,codedivisionmultipleaccess)、宽带码分多址(wcdma,widebandcodedivisionmultipleaccess)、长期演进(lte,longtermevolution)、电子邮件、短消息服务(sms,shortmessagingservice)等。存储器402可用于存储软件程序以及模块,处理器408通过运行存储在存储器402的软件程序以及模块,从而执行各种功能应用以及数据处理。存储器402可主要包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等;存储数据区可存储根据移动终端的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等,吉林射频功率放大器设备,吉林射频功率放大器设备。此外,吉林射频功率放大器设备,存储器402可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。相应地,存储器402还可以包括存储器控制器,以提供处理器408和输入单元403对存储器402的访问。在本申请实施例中,存储器402用于存储射频功率放大器的初始状态电阻值,配置状态电阻值以及射频功率放大器检测模块的电阻值。微波功率放大器在大功率下工作要合理设计功放结构加装散热器以 提高功放管热量辐散效率保证放大器稳定工作。吉林射频功率放大器设备
nmos管mn07的漏极和nmos管mn08的漏极分别连接第三变压器t03的原边。在第二主体电路率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。如图3所示,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极为功率放大器的输入端,nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏极和nmos管mn16的漏极分别连接第四变压器t04的原边。nmos管mn05的源极、nmos管mn06的源极接地,nmos管mn13的源极、nmos管mn14的源极接地。nmos管mn07的栅极和nmos管mn08的栅极通过电容c06和电感l02接地,nmos管mn15的栅极和nmos管mn16的栅极通过电容c13和电感l05接地。第三变压器t02原边的中端通过电感l03接电源电压vdd,第三变压器t02原边的中端还连接接地电容c08。第四变压器t04原边的中端通过电感l06接电源电压vdd,第四变压器t04原边的中端还连接接地电容c15。本申请实施例提供的高线性射频功率放大器,通过自适应动态偏置电路和两个主体电路,不提高了射频功率放大器的线性度,还提高了射频功率放大器的输出功率。图4示例性地示出了本申请实施例提供的高线性射频功率放大器中自适应动态偏置电路对应的偏置电压曲线图。北京定制开发射频功率放大器系列功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。
nmos管mn11的漏极连接电容c11,nmos管mn12的漏极连接电容c12。nmos管mn11的漏极和nmos管mn12的漏极为第二主体电路中激励放大器的输出端。变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接偏置电压,偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压;激励放大器栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。如图3所示,变压器t0副边的中端通过电阻r01接偏置电压vbcs_da,第二变压器t03副边的中端通过电阻r06接偏置电压vbcs_da,偏置电压vbcs_da用于为nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置电压。nmos管mn03的栅极和nmos管mn04的栅极分别通过电阻r02接第二偏置电压vbcg_da,。nmos管mn11的栅极和nmos管mn12的栅极分别通过电阻r07接第二偏置电压vbcg_da。nmos管mn01的源极和nmos管mn02的源极接地,nmos管mn03的栅极和nmos管mn04的栅极分别通过电容c03接地。每个主体电路率放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示,主体电路的功率放大器中,nmos管mn05和nmos管mn07构成一个共源共栅放大器,nmos管mn06和nmos管mn08构成一个共源共栅放大器;第二主体电路的功率放大器中,nmos管mn13和nmos管mn15构成一个共源共栅放大器。
包括:第五一电容c51、第五二电容c52、第五三电容c53、第五四电容c54、第五一电阻r51、第五二电阻r52、第五三电阻r53、第五一开关k51和第五二开关k52,第五一电容c51、第五一电阻r51、第五一开关k51和第五二电容顺次连接构成支路,第五三电容c53、第五二电阻r52、第五三电阻r53、第五二开关k52和第五四电容c54构成第二支路,支路与第二支路并联,其中,第五三电容c53的两端分别连接第五一电容c51和第五二电阻r52的一端,第五二开关k52的两端分别连接第五二电阻r52的另一端和第五四电容c54的一端,第五三电阻r53的两端分别连接第五二电阻r52的一端和第五四电容c54的一端,第五四电容c54的另一端连接第五二电容c52。其中,第五一电容、第五二电容、第五三电容和第五四电容的电容取值范围均为1pf~2pf。因为在电路中,开关两端需要为零的直流电压偏置,所以在第五二电阻和第五三电阻两旁各用一个电容来进行隔直处理。反馈电路中等效电阻越小,反馈深度越大,射频功率放大器电路的增益越低,因此设置第五三电阻的阻值大于第五一电阻的电阻,第五一电阻的电阻大于第五二电阻的电阻。微控制器控制第五一开关和第五二开关均关断,此时反馈电路的等效电阻大,可实现高增益。线性:由非线性分析知道,功率放大器的三阶交调系数时与负载有关的。
则该阻抗与rfin端的输入阻抗zin共轭匹配,zin=r0-jx0;加入可控衰减电路后,在输入匹配电路101之前并联接地的r2和sw1所在的支路中,为保证有效的功率衰减,r2一般控制得较小,故对r0影响可以忽略。sw1关断时,r2和sw1所在的支路可以等效成寄生电抗xc,此时,可控衰减电路和输入匹配电路的等效阻抗zeq=(r0+jx0)//jxc+jxl,其中,“//”表示并联,zeq的实部小于r0,为了使等效阻抗与输入阻抗尽可能的匹配,减少影响,需要zeq的虚部im(zeq)=x0,在r0、x0和xc的数值已知的情况下,根据等效阻抗zeq的表达式可以计算出xl,进而得到电感l1的电感值,其中,由于电感l1被集成在硅基芯片上,所以电感l的品质因数q值一般不大于5。为了进一步提高电路实用性,并提高射频耐压和静电保护能力,本申请实施例的进一步形式是将并联支路的r换成sw2(如图4所示),通过控制sw1和sw2的栅极的宽长比控制导通的寄生电阻和关断的寄生电容以及esd能力。换句话说,在做设计时控制sw1和sw2的栅极的宽长比w/l,可以获得期望的ron,其中:开关导通的电阻:ron=1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth)),其中,*表示乘号,μ是指电子迁移率,cox是指单位面积的栅氧化层电容,w/l是指cmos器件有效沟道长度的宽长比。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs,GAN和LDMOS工艺。吉林射频功率放大器设备
稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。吉林射频功率放大器设备
将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较,可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。104、所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器。例如,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,此时射频功率放大器的电阻值与配置状态的电阻值不相同,则表示此射频功率放大器还没有开启,移动终端开启此射频功率放大器。其中,射频功率放大器的开启与关闭由处理器控制。105、所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。例如,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,此时射频功率放大器的电阻值与配置状态的电阻值相同,则表示射频功率放大器配置完成。为了更好地实施以上方法,本申请实施例还可以提供一种移动终端射频功率放大器检测装置,该装置具体可以集成在网络设备中,该网络设备可以是移动终端等设备。例如,如图3所示,该装置可以包括预设单元301、计算单元302、比较单元303,如下:(1)预设单元301预设单元301,用于预设射频功率放大器的配置状态电阻值。例如。吉林射频功率放大器设备
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