因为栅长l固定,因此可以通过设计栅宽w得到寄生电阻大小为ron的mos管。寄生电容coff=fom/ron,fom为半导体工艺商提供的参数,单位为fs(飞秒),在寄生电阻ron确定后,可确定寄生电容coff的大小,如此,即可确定可控衰减电路中开关的相关参数。在一个可能的示例中,可控衰减电路包括电阻、备用电阻rn、电感、开关和备用开关tn,开关的栅级与电阻的端连接,电阻的第二端连接电压信号,开关的漏级与备用开关的源级连接,开关的源级接地,备用开关的栅级连接备用电阻的端,备用电阻的第二端连接电压信号,备用开关的漏级连接电感的端,电感的第二端连接输入信号;其中,开关和备用开关,用于响应微处理器发出的控制信号使自身处于关断状态,以使可控衰减电路处于无衰减状态,实现射频功率放大器电路处于非负增益模式;还用于响应微处理器发出的第二控制信号使自身处于导通状态,以使可控衰减电路处于衰减状态,实现射频功率放大器电路处于负增益模式;其中,辽宁U段射频功率放大器供应商,控制信号为具有电压值的电压信号,第二控制信号为具有第二电压值的电压信号,电压值与第二电压值不同。其中,为进一步提高耐压能力和静电保护能力,辽宁U段射频功率放大器供应商,辽宁U段射频功率放大器供应商,可采用如图9所示的可控衰减电路,将第二电阻替换成备用开关和备用电阻。射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。辽宁U段射频功率放大器供应商
在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p,功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理,功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号,功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定,且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中,差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的,对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术,本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中,初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接,输入经过放大的差分信号;初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接,输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中,次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。河南U段射频功率放大器定制输出匹配电路主要应具备损耗低,谐波抑制度高,改善驻波比,提高输出功 率及改善非线性等功能。
本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径,减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数,选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围,降低功率合成变压器损耗。此外,将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计,能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图;图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图;图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图;图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图;图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述,现有技术中,采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器。
因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低,因此频选特性不明显,频率响应带宽较宽,带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率,fl为下限频率,fo为中心频率;且有:fh=900mhz,fl=600mhz,fo=800mhz,回波损耗大于15db,频率响应的带宽可达到300mhz以上,相对带宽可达到(fh-fl)/fo=(900-600)/800=%。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构,如图5b所示,在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2,增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例提供的技术方案的有益效果在于:通过在信号的输入端设计可控衰减电路,在实现功率放大器增益负增益的同时,对高增益模式性能的影响很小,并且加强了对rfin端口的esd保护。该电路结构简洁,对芯片面积占用小,能降低硬件成本。在本申请实施例提供的射频功率放大器电路中,反馈电路中可以用于切换的电阻有多种,例如当射频功率放大器电路需要实现三档增益模式:高增益30db左右,低增益15db左右,负增益-10db左右。此时,反馈电路如图6所示,c51、c52、c53和c54是1pf~2pf范围的电容。电阻r53大于r51大于r52。微波固态功率放大器通常安装在一个腔体内,由于频率高,往往容易产生寄 生藕合与干扰。
每个主体电路中的功率放大器包括2个共源共栅放大器;在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端,功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端;在主体电路,功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第三变压器的原边;在第二主体电路,功率放大器源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接,功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。可选的,变压器的原边和第二变压器的原边之间还连接有电容,变压器副边的中端和第二变压器副边的中端分别通过电阻连接偏置电压,偏置电压用于为激励放大器中的共源放大器提供偏置电压;激励放大器栅放大器的栅极通过电阻接第二偏置电压。可选的,第三变压器的副边和第四变压器的副边之间还连接有电容,第三变压器原边的中端和第四变压器原边的中端分别通过电感连接电源电压、以及连接接地电容。本申请技术方案,至少包括如下优点:通过自适应动态偏置电路动态调整功率放大器源共栅放大器的栅极偏置电压,提高了射频功率放大器的线性度。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案。甲类工作状态:功放大器在信号周期内始终存在工作电流,即导通角0为360度。海南射频功率放大器价格
微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。辽宁U段射频功率放大器供应商
P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685APAP129431/3219/22145/215APAP10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估计大部分国内的读者没有用过RFIC的芯片,笔者也只是看到一些国外的产品在用。没有Datasheet,也没有BriefIntroduction,只能从官网上了解到部分数据,其中EPM2428是**高的型号,其典型参数为:64QAM情况下可达28dBm@EVM=3%11b情况下可达32dBm,满足频谱模板效率可达20%@28dBm增益可达34dB片上输入/输出匹配RFMDRFMD(与TriQuint合并以后称为Qorvo,但笔者还是喜欢称之为RFMD,Qrovo实在是太拗口了)作为一家老牌的射频器件厂商,相信有些读者比我更了解,但笔者还是决定对RFMD做个简单介绍;RFMicroDevices公司(简称RFMD)是全球的高性能射频元件和化合物半导体技术的设计和制造商。RFMD的产品可用于蜂窝手机,无线基础设施,无线局域网络(WLAN),CATV/宽频及航空航天和**市场,提供增强的连接性,并支持先进的功能。RFMD凭借其多样化的半导体技术以及RF系统专业技能,成为世界的移动设备,客户端和通讯设备制造商的优先供应商。辽宁U段射频功率放大器供应商
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